| 프로세스 | 65nm CMOS |
| 동작 주파수(GHz) | 8.5-11.5 |
| 이득(dB) @10 GHz | 22.9 |
| 잡음 지수(dB) @10 GHz | 2.8 |
| 소비 전력(mW) | 49 |
| 핵심 면적(mm²) | 0.24 |
이 65nm CMOS LNA는 0.24mm²의 초소형 설계에서 22.9dB의 높은 이득과 49mW의 낮은 전력 소비를 제공합니다. 탁월한 신호 감도와 효율적인 통합을 보장하는 이 제품은 비용 효율적인 X밴드 위상 배열 레이더, 위성 통신 수신기 및 무선 시스템에 이상적인 솔루션입니다.
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